準(zhǔn)分子激光氣體
準(zhǔn)分子激光預(yù)混氣
工業(yè)技術(shù)的升級轉(zhuǎn)型需要平衡日益增長的性能需求與加工速度及制造成本之間的矛盾。準(zhǔn)分子激光的誕生，以其高光子能量所稱著，在對突破材料限制需求越來越迫切的時代，準(zhǔn)分子激光器再次站在了尖端工業(yè)激光解決方案的最前沿。作為當(dāng)今最有效、最可靠的脈沖紫外激光技術(shù)的代表，準(zhǔn)分子激光器有效地推進了諸如半導(dǎo)體、AMOLED平板顯示、薄膜、硅底板加工、有機金屬沉淀、高溫超導(dǎo)、刻蝕、材料研究、汽車制造、生物醫(yī)療、光纖、鉆石打標(biāo)設(shè)備及可替代能源等多種成長型工業(yè)中的技術(shù)革新。準(zhǔn)分子激光氣體是用于準(zhǔn)分子激光設(shè)備中的激光發(fā)生器的關(guān)鍵氣體
具體的配比和包裝物和準(zhǔn)分子激光設(shè)備的品牌和型號相關(guān)：
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品 牌 |
機 型 |
波 長 |
準(zhǔn)分子激光氣體 |
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ATL |
ATL ARF-1 |
193 nm |
F2,Ar,Xe,Ne |
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ATL KRF-1 |
248 nm |
F2,Kr,Xe,Ne |
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TUI |
CTFTS-ARFV 2.2 |
193 nm |
F2,Ar,He,Ne |
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CTFTS-KRFV 2.1 |
248 nm |
F2,Kr,He,Ne |
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CTFTS-KRFV 2.2 |
248 nm |
F2,Kr,He,Xe,Ne |
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CTMD-ARFV 2.0 |
193 nm |
F2,Ar,He,O2,Ne |
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CTMD-XECLV 2.1 |
308 nm |
HCl,H2,Xe,Ne |
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CTMN-ARFV 2.0 |
193 nm |
F2,Ar,He,Ne |
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CTMN-ARFV 2.1 |
193 nm |
F2,Ar,He,Ne |
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CTMN-KRFV 1.0 |
248 nm |
F2,Kr,He,Ne |
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CTMN-KRFV 2.0 |
248 nm |
F2,Kr,He,Ne |
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CTMN-XECLV 2.0 |
308 nm |
HCl,H2,Xe,Ne |
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CTMN-XECLV 5.0 |
308 nm |
HCl,H2,Xe,Ne |
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CTMN-XEFV 1.1 |
450nm~520nm |
F2,Xe,He,Ne |
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CTMN-XEFV 1.2 |
450nm~520nm |
F2,Xe,He,Ne |
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GAM Laser |
EX5 ArF |
193 nm |
F2,Ar,He,O2,Ne |
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EX5 KrF |
248 nm |
F2,Kr,He,Ne |
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EX5 XeCl |
308 nm |
HCl,H2,Xe,Ne |
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EX10 |
193 nm |
F2,Ar,He,Ne |
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EX50 |
193 nm |
F2,Ar,He,Ne |
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EX100 |
193 nm |
F2,Ar,He,Ne |
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Photomedex |
XeCl |
308 nm |
HCl,Xe,Ne |
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Photoscribe |
ArF |
193 nm |
F2,Ar,Ne |
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KrF |
248 nm |
F2,Kr,Ne |
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PotomacPhotonics |
ArF |
193 nm |
F2,Ar,Ne |
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KrF |
248 nm |
F2,Kr,Ne |
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Spectranetics |
XeCl |
308 nm |
HCl,H2,Xe,Ne
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