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湖南高純氨氣可以用于半導體芯片的沉積和刻蝕

  • 發(fā)布時間:2022-09-03
  • 發(fā)布者: 本站
  • 來源: 原創(chuàng)
  • 閱讀量:

       高純氨氣NH3,有刺激性惡臭的無色氣體,極易溶于水。高純氨氣是強腐蝕性有毒物質,對皮膚和眼睛有強烈腐蝕作用,產(chǎn)生嚴重疼痛性灼傷。我國高純氨規(guī)?;a(chǎn)始于1999年。


高純氨產(chǎn)品技術指標




 項目

 電子級

 氨(NH3)純度(體積分數(shù))/10-2

 99.9995

 氧(O2)含量(體積分數(shù))/10-6

 1

 氮(N2)含量(體積分數(shù))/10-6

 1

 一氧化碳(CO)含量(體積分數(shù))/10-6

 1

 烴(C1~C3)含量(體積分數(shù))/10-6

 1

 水分(H2O)含量(體積分數(shù))/10-6

 3

 總雜志含量(體積分數(shù))/10-6

 5



高純氨主要用途


高純氨(NH3)主要用于制造高質量的氮化物。氮化鎵(GaN)和氮化硅(Si3N4)前者是制造發(fā)光二極管的基礎,而后者廣泛應用于太陽能電池(光伏)、集成電路(IC)和液晶顯示器(LCD)的制造。

氦氣,六氟化硫,氟化氫,高純氨氣,一氯甲烷,氯化氫,一氧化氮,一甲胺,二甲胺、三甲胺、甲烷、一氧化碳、硫酰氟,環(huán)氧乙烷,異戊烷,異丁烯,異丁烷,六氟丙烯、硫化氫、乙烷、六氟乙烷、1丁炔,丙炔,氟甲烷,氟乙烷,二氧化硫,丙烯,乙烯,溴化氫,三氯化硼,硼烷,氯乙烯,磷烷,砷烷,液氬氣,氙氣,異戊二烯、一氟甲烷、氟氮氣、氯氣

高純氨應用原理


Ga(CH3)3+ NH3 → GaN + 4CH4;

這個反應是制造發(fā)光二極管(LED)外延芯片的氮化鎵的基 礎,反應在昂貴的 MOCVD (有機金屬氣相沉積)設備上完成。

3SiH4 + 4NH3→ Si3N4 + 12H2;

這個反應是制造氮化硅(Si3N4 )的基礎,由硅烷(SiH4 )和高純氨在較高溫度下,在化學氣相沉積(CVD)設備中進行反應,此反應也需要相當數(shù)量的高純氨氣。


為什么要使用高純氨?


假如氨的純度不夠高,例如氨中混有一些水(氨極易溶于水,而且我們周圍環(huán)境中到處都是水),會有什么后果呢?

硅烷會先跟水(而不是跟氨)反應:

SiH4 + 2H2O → SiO2 + 3H2;

實際上,只要氨中水含量達到萬分之一,水基本上就完全代替氨從而和硅烷反應,反應生成的是 SiO2 而不是 Si3N4,這樣就無法滿足電子工業(yè)嚴格要求的工藝條件了,其中的原因在于水比氨更容易與硅烷反應結合,生成的SiO2 也比 Si3N4更穩(wěn)定。要想讓 LED的發(fā)光增強,那就要設法增多其中的電子和空穴(稱為載流子),這樣就對高純氨的純度提出了非常高的要求,實驗已經(jīng)證明,高純氨中的水會首先反應生成穩(wěn)定的 SiO2 ,而SiO2是不能貢獻電子的,這樣也無法獲得 n 型 GaN。會極大地影響到 LED的亮度,原因就在于高純氨中的微量水會大大降低載流子的濃度。

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